第三代半導(dǎo)體電力電子器件優(yōu)勢(shì)：一是低導(dǎo)通電阻的高壓操作，低傳導(dǎo)損耗和高功率密度；二是高頻開(kāi)關(guān)，無(wú)源器件實(shí)現(xiàn)尺寸減��；三是高溫應(yīng)用，避免笨重的散熱片。

第三代半導(dǎo)體功率器件應(yīng)用包括：QR Fly-Back, ACF Fly-Back；PFC/LLC。三安具備全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)從原材料到器件封裝的把控，提供多元化服務(wù)，客制化開(kāi)發(fā)；優(yōu)秀的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，快速的信息反饋，完善的質(zhì)量體系。

現(xiàn)在第三代半導(dǎo)體的量還很小，市場(chǎng)應(yīng)用暫時(shí)還沒(méi)有鋪開(kāi)，業(yè)界要想辦法把一些制造優(yōu)勢(shì)或設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)能夠集中展現(xiàn)，先度過(guò)比較困難的時(shí)期，之后才會(huì)有一個(gè)比較好的發(fā)展。

寬禁帶功率器件將對(duì)應(yīng)用帶來(lái)革命性變化。寬禁帶功率器件封裝集成的主要挑戰(zhàn)：電磁方面，目標(biāo)是高功率密度、高頻化、高效率、低寄生電感，技術(shù)方向是互連技術(shù)、封裝結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)集成；溫度方面，目標(biāo)是高工作溫度、低熱阻、熱膨脹系數(shù)匹配，技術(shù)方向是封裝材料、互連技術(shù)、封裝結(jié)構(gòu)；可靠性方面，目標(biāo)是高溫與功率循環(huán)能力、強(qiáng)機(jī)械應(yīng)力耐受力，技術(shù)方向是互連技術(shù)、封裝材料、封裝結(jié)構(gòu)。

所有電能變換的基礎(chǔ)因素是功率模塊。我們圍繞器件做模塊集成，平臺(tái)研究應(yīng)用領(lǐng)域包括電動(dòng)汽車、電動(dòng)系統(tǒng)、筆記本，主要應(yīng)用場(chǎng)合包括智能電網(wǎng)、高壓封裝等。

電是最主要的能源供給方式，日常生活當(dāng)中遇到的所有機(jī)器設(shè)備一定會(huì)使用電源管理芯片。2019年全球半導(dǎo)體芯片整體規(guī)模是4400億美元，其中電源管理芯片約為360-380億美元。相關(guān)預(yù)測(cè)顯示，到2026年全球電源管理芯片的需求將會(huì)達(dá)到560億美金，中國(guó)市場(chǎng)可以達(dá)到230億美元，巨大的市場(chǎng)空間就是我們的機(jī)會(huì)。

目前，全球電源管理芯片市場(chǎng)70%主要由美、歐、日提供。中國(guó)消耗了全球的大部分（40%）電源管理芯片，但中國(guó)功率器件的自給率只有10%。作為中國(guó)現(xiàn)在頭部集成電路設(shè)計(jì)公司，紫光展銳理應(yīng)承擔(dān)起這份責(zé)任，在電源管理芯片領(lǐng)域做出自己的一份貢獻(xiàn)。紫光展銳擁有充足的資金、足夠多的人才、成熟的管理等優(yōu)勢(shì)。

>>>>> 更多精彩內(nèi)容

如何在天線性能和復(fù)雜度之間建構(gòu)起一個(gè)比較好的橋梁，可以用AI的方法嘗試去解決，即機(jī)器學(xué)習(xí)輔助優(yōu)化。同時(shí)，如何做到天線和芯片的統(tǒng)一封裝，也是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。王海明認(rèn)為，未來(lái)天線不再是一個(gè)單獨(dú)的無(wú)源器件，與有源器件的集成是其發(fā)展趨勢(shì)；但如何把天線和電路集成起來(lái)做設(shè)計(jì)和聯(lián)合優(yōu)化是非常難的事情。

現(xiàn)在EDA雖被反復(fù)提及，但其只是解決分析的自動(dòng)化，綜合自動(dòng)化目前來(lái)看還有很大提升空間，希望用Machine Learning的方法為業(yè)界提供一些新的思路和方法。

Sub-6GHz 5G NR平臺(tái)上，濾波器其實(shí)還有很多是基于硅工藝的，這個(gè)特殊工藝叫SOI CMOS，需要核心射頻器件。迦美信芯的差異化優(yōu)勢(shì)包括：一是專注細(xì)分領(lǐng)域，專注于射頻前端的天線開(kāi)關(guān)，天線調(diào)諧器和低噪放的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與合作，與紫光展銳的5G平臺(tái)合作是互補(bǔ)的關(guān)系；二是單襯底的SOI CMOS工藝設(shè)計(jì)，采用成熟的晶圓和封裝工藝，做出高性能的產(chǎn)品；三是穩(wěn)定的供應(yīng)鏈，晶圓和封測(cè)都采用國(guó)內(nèi)一流的供應(yīng)商，供貨穩(wěn)定，封裝與國(guó)際公司產(chǎn)品兼容，容易推廣和備貨；四是高性能的產(chǎn)品，130nm 110nm 55nm技術(shù)路線圖，產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際水準(zhǔn)，能滿足國(guó)際品牌客戶需求，產(chǎn)品品類齊全，滿足各種不同的應(yīng)用需求。

>>>>> 更多精彩內(nèi)容

預(yù)計(jì)2022年射頻濾波器（SAW+BAW）市場(chǎng)規(guī)模為160億美元，年增長(zhǎng)率19%，射頻濾波器是射頻前端元件市場(chǎng)的主要增長(zhǎng)點(diǎn)。

針對(duì)布拉格反射型聲學(xué)器件結(jié)構(gòu)，我們的團(tuán)隊(duì)建立了涵蓋材料仿真計(jì)算、材料制備方法、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、器件制備工藝和表征方法的完整技術(shù)鏈條

新材料方面，突破了現(xiàn)有聲學(xué)濾波器長(zhǎng)期以來(lái)的帶寬和頻率雙重瓶頸；新結(jié)構(gòu)方面，提高工作頻率，大幅減小芯片尺寸，滿足模組化發(fā)展；新工藝方面，開(kāi)發(fā)獨(dú)創(chuàng)的制造工藝，減少流片步驟，降低制造成本。