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2024/10/21 14:03

三星推出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM芯片:速度高達(dá)42.5Gbps

愛(ài)集微  孫樂(lè)

三星推出了業(yè)界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片,可提供高達(dá)42.5Gbps的超高速度,為下一代GPU提供支持。由于進(jìn)行了許多改進(jìn)和更新,三星聲稱(chēng)與上一代相比,密度提高50%,效率提高30%。這些24Gb GDDR7模塊正在與主要GPU制造商進(jìn)行驗(yàn)證,并計(jì)劃于2025年初進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

2023年7月,三星推出了全球首款GDDR7內(nèi)存,額定速度為32Gbps,每個(gè)模塊容量為16Gb(2GB)。與三星已發(fā)布的GDDR7模塊相比,新IC的帶寬提高25%,與上一代18Gbps GDDR6產(chǎn)品相比提高2.36倍。在制造方面,三星的24Gb GDDR7內(nèi)存采用了該公司第五代10nm節(jié)點(diǎn),在相同封裝尺寸下密度提高50%。

為了實(shí)現(xiàn)這些前所未有的高度,三星采用了PAM3信號(hào),利用3個(gè)信號(hào)(-1、0、+1)來(lái)傳輸數(shù)據(jù)。這些新內(nèi)存模塊可以輕松達(dá)到40Gbps,但在特定條件下,也可能達(dá)到42.5Gbps,比GDDR6X提供的速度(24Gbps)快近80%。

為了解決效率問(wèn)題,三星宣稱(chēng)其新款GDDR7內(nèi)存比上一代效率高30%,這要?dú)w功于時(shí)鐘控制管理和雙電壓(VDD)設(shè)計(jì)等技術(shù)。此外,電流泄漏問(wèn)題通過(guò)電源門(mén)控設(shè)計(jì)解決,可關(guān)閉芯片中未使用的部分。

上一代GDDR6/X內(nèi)存采用16Gb(2GB)內(nèi)存模塊。三星的GDDR7產(chǎn)品每個(gè)模塊的內(nèi)存容量增加1.5倍,這一事實(shí)預(yù)計(jì)會(huì)為下一代GPU帶來(lái)更高的VRAM(顯示內(nèi)存)容量。以下是GPU制造商采用不同總線寬度的42.5Gbps 24Gb(3GB)模塊時(shí)可以預(yù)期結(jié)果的簡(jiǎn)要概述:

128位:12GB VRAM,680GB/s

192位:18GB VRAM,1020GB/s

256位:24GB VRAM,1360GB/s

320位:30GB VRAM,1700GB/s

512位:48GB VRAM,2720GB/s

這對(duì)游戲玩家來(lái)說(shuō)應(yīng)該是個(gè)好消息,因?yàn)樯弦淮鶪PU因缺乏VRAM而受到阻礙。如今,即使是1080p也需要超過(guò)8GB的內(nèi)存,因此希望GPU制造商不要在下一代內(nèi)存容量上吝嗇。不過(guò),下一代入門(mén)級(jí)GPU很可能會(huì)堅(jiān)持使用現(xiàn)成的16Gb GDDR6模塊,因?yàn)樗鼈兊纳a(chǎn)成本更低。

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