C114訊 4月17日消息（顏翊）AI時代，大數(shù)據(jù)的高速存儲至關(guān)重要。如何突破信息存儲速度極限，一直是集成電路領(lǐng)域最核心的基礎(chǔ)性問題之一，也是制約AI算力上限的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。
據(jù)復(fù)旦大學(xué)消息，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院周鵬-劉春森團隊通過構(gòu)建準(zhǔn)二維泊松模型，團隊成功在理論上預(yù)測了超注入現(xiàn)象，據(jù)此研制的皮秒閃存器件的擦寫速度闖入亞1納秒大關(guān)（400皮秒），相當(dāng)于每秒可執(zhí)行25億次操作，性能超越同技術(shù)節(jié)點下世界最快的易失性存儲SRAM技術(shù)。
相關(guān)成果以《亞納秒超注入閃存》（Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection）為題，于北京時間4月16日晚間在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表。
據(jù)稱，這是迄今為止世界上最快的半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)，實現(xiàn)了存儲、計算速度相當(dāng)，在完成規(guī)模化集成后有望徹底顛覆現(xiàn)有的存儲器架構(gòu)。在該技術(shù)基礎(chǔ)上，未來的個人電腦將不存在內(nèi)存和外存的概念，無需分層存儲，還能實現(xiàn)AI大模型的本地部署。
